Xiaomi ha lanzado recientemente su chip玄戒 O3. Según la información divulgada, este nuevo SoC de gama alta de última generación admite chips de memoria LPDDR6. Fuentes de la industria indican que la empresa nacional de almacenamiento Changxin Memory es unsocio clave en la memoria LPDDR6 para el Xiaomi玄戒 O3, lo que significa que los productos LPDDR6 nacionales han entrado oficialmente en la fase de aplicación práctica en plataformas móviles de gama alta.
Desde el punto de vista del desarrollo, el avance de Changxin Memory en LPDDR6 ya tenía un fundamento. En marzo de este año, el mercado ya había informado sobre el envío de muestras de sus productos LPDDR6 a clientes clave; a principios de agosto, también surgieron noticias de que los productos relacionados estaban cerca de completar los procedimientos de aceptación. Con el lanzamiento oficial del玄戒 O3, la memoria de bajo consumo nacional se empareja por primera vez con el último procesador móvil de gama alta, lo que envía señales más claras sobre la producción en masa y la implementación.
LPDDR6 utiliza una nueva arquitectura de doble canal de 24 bits
LPDDR6 es el último estándar de memoria móvil de bajo consumo publicado por JEDEC en julio de 2025. En comparación con LPDDR5X, LPDDR6 utiliza una nueva arquitectura de doble canal de 24 bits, mientras que LPDDR5X tiene un canal de 16 bits; el cambio en la arquitectura se refleja principalmente en la mejora de la flexibilidad en la programación de datos. En la cadena de suministro de terminales móviles, la elección de las especificaciones de memoria por parte de los SoC de gama alta se considera un importante indicador de la evolución tecnológica, y el soporte del玄戒 O3 para LPDDR6 también ha atraído la atención de la industria relacionada.
Según la información previamente divulgada, la velocidad de diseño de la primera memoria LPDDR6 de Changxin Memory es de 12800Mbps, y la velocidad base de funcionamiento en conjunto con el SoC es de 10667Mbps; la capacidad de cada chip es de 16Gb, la capacidad del módulo es de 16GB, y utiliza un empaquetado POP de 1295 Ball. Los datos relacionados muestran que este producto ha sido optimizado en diseño de bajo consumo y funciones RAS en comparación con LPDDR5X.
La memoria móvil nacional acelera su entrada en el nuevo estándar de generación
Durante mucho tiempo, la aplicación inicial de los nuevos estándares LPDDR en plataformas de gama alta ha sido dominada por fabricantes extranjeros como Samsung, SK Hynix y Micron. La inclusión de Changxin Memory en el ecosistema de colaboración del玄戒 O3 muestra que el avance de la memoria móvil nacional en el nuevo estándar de generación se está acelerando.
Ítem Especificaciones Velocidad de diseño 12800Mbps Velocidad base 10667Mbps Capacidad por chip 16Gb Capacidad del módulo 16GB Especificaciones de empaquetado 1295 Ball POP Arquitectura Canal dual de 24 bits