Medios surcoreanos informan que se ha desarrollado con éxito una nueva generación de memoria de cambio de fase para IA, capaz de controlar el calor durante el proceso de almacenamiento y reducir el consumo de energía hasta un 76% en comparación con los niveles actuales. La memoria de cambio de fase utiliza la diferencia de resistencia de los materiales en estado cristalino y no cristalino para almacenar información, perteneciendo a la categoría de memorias no volátiles, y presenta características de alta velocidad y almacenamiento de múltiples informaciones en una sola celda, siendo considerada una solución de almacenamiento de próxima generación en el campo de la inteligencia artificial y el cálculo en memoria.
La Fundación Nacional de Investigación de Corea anunció el 11 de septiembre que el equipo del profesor Kim Gyeong-soo del Departamento de Ingeniería Electrónica y Eléctrica de la Universidad de Corea ha logrado implementar con éxito una «memoria de estructura heterogénea de cambio de fase con doble aislamiento», combinando dos materiales con características muy diferentes para regular gradualmente la difusión del calor interno y la zona de cambio de fase de la memoria. Este resultado ha sido publicado en línea en la revista académica internacional «International Journal of Extreme Manufacturing».
La nueva tecnología de memoria de cambio de fase reduce significativamente el consumo de energía
Con el aumento explosivo de datos traído por la inteligencia artificial generativa y los modelos de lenguaje de gran tamaño, la memoria de cambio de fase ha recibido una amplia atención como una tecnología alternativa de almacenamiento. Sin embargo, la memoria de cambio de fase tradicional enfrenta un cuello de botella inherente: el calor generado durante la escritura de datos se dispersa hacia los alrededores, lo que desperdicia energía y dificulta el control preciso de la zona de cambio de fase. Más complicado aún, los materiales de bajo voltaje de operación suelen tener mala resistencia al calor, mientras que los materiales resistentes al calor requieren un alto voltaje de operación, creando una contradicción difícil de equilibrar.
El equipo de investigación introdujo una nueva estructura que dispone simultáneamente dos compuestos de metales de transición que pueden mantener el estado cristalino durante la operación: NiTe₂ y MoTe₂. Aquí, NiTe₂ actúa como una capa de conducción térmica, capaz de generar y transferir calor de manera eficiente incluso a voltajes más bajos; mientras que MoTe₂ funciona como una capa de bloqueo térmico, inhibiendo la dispersión del calor hacia el exterior. Gracias a este diseño, el equipo pudo planificar de forma autónoma la ruta de movimiento del calor dentro de la memoria, logrando un control preciso sobre la ubicación y el rango de ocurrencia del cambio de fase.
Los resultados experimentales indican que esta estructura permite diseñar la ruta del flujo de calor interno de la memoria según sea necesario, reduciendo el consumo de energía en un 76% en comparación con las soluciones actuales, al mismo tiempo que mejora la durabilidad del dispositivo (es decir, el número de ciclos de operación) en un 110%.
| Ítem | Especificaciones |
|---|---|
| Reducción de consumo de energía | 76% |
| Aumento de durabilidad | 110% |