Samsung anunció el desarrollo mundial de la primera memoria LPDDR-PIM para dispositivos de IA en el lado del móvil, integrando funciones de cálculo en la memoria móvil, afirmando que puede mejorar efectivamente la velocidad de procesamiento de IA y al mismo tiempo reducir el consumo de energía. Un responsable de Samsung presentó recientemente la estructura, especificaciones y resultados de validación de LPDDR5X-PIM en la conferencia académica de semiconductores Hot Chips 2026, celebrada en la Universidad de Stanford en EE. UU. Este producto recibió el premio a la próxima generación de memoria en la conferencia FMS 2026 a principios de este mes, y esta es la primera vez que se revelan especificaciones detalladas al público.
La tecnología PIM permite que algunas operaciones se realicen directamente dentro de la memoria al integrar unidades de cálculo en ella. En una arquitectura tradicional, los datos almacenados en la memoria deben ser enviados primero al procesador central o al procesador gráfico para su procesamiento, y luego los resultados se devuelven a la memoria. Con PIM, operaciones relativamente simples pueden ser procesadas internamente en la memoria, reduciendo uno de los principales cuellos de botella en el funcionamiento de la IA, que es el transporte de datos, equilibrando velocidad y rendimiento energético.
La velocidad de procesamiento de LPDDR5X-PIM es 2.3 veces más rápida que la versión normal
Samsung utilizó el modelo de IA de código abierto Llama 3.1 de Meta, que cuenta con 8 mil millones de parámetros, como objeto de prueba. Los resultados mostraron que el tiempo de procesamiento de LPDDR5X-PIM es de 5.4 segundos, aproximadamente 2.3 veces más rápido que los 12.3 segundos de LPDDR5X normal. La cantidad de tokens procesados por segundo alcanzó 81.3 TPS, tres veces más que los 27 TPS de los productos actuales. Estos datos indican que la tecnología de cálculo dentro de la memoria tiene una ventaja de rendimiento evidente en escenarios de inferencia de IA reales.
De hecho, Samsung ya había anunciado en 2021 la aplicación de PIM en la memoria de alto ancho de banda HBM-PIM, completando su validación de desarrollo. Esta vez, eligieron aplicar PIM a la memoria LPDDR de bajo consumo, ampliamente utilizada en teléfonos inteligentes y otros dispositivos móviles. La empresa considera que, a medida que los modelos de IA se vuelven cada vez más compactos y eficientes, no todos los dispositivos de IA necesitan HBM.
La expansión de la tendencia de IA en el lado del dispositivo impulsa las perspectivas de aplicación de LPDDR-PIM
El responsable indicó que, aunque la solución de memoria estandarizada respaldada por IA se basa principalmente en HBM, con el reciente desarrollo de modelos de lenguaje a gran escala hacia la miniaturización y eficiencia, HBM no siempre es la mejor opción. Por lo tanto, se está desarrollando LP-PIM, que combina alto ancho de banda y bajo consumo. A medida que la tendencia de IA generativa se expande para ejecutarse directamente en dispositivos como teléfonos inteligentes o computadoras personales, las perspectivas de aplicación de LPDDR-PIM también están creciendo, ya que los dispositivos móviles, limitados en energía y espacio, necesitan mejorar el rendimiento de cálculo de IA mientras reducen el consumo de energía.
En términos de compatibilidad, este producto utiliza el mismo diseño de matriz que la LPDDR estándar, lo que permite su uso sin grandes modificaciones en el sistema. Samsung actualmente está proporcionando recursos como kits de herramientas de desarrollo de software y simuladores para impulsar la construcción del ecosistema relacionado. Después de LPDDR5X-PIM, Samsung ha iniciado el trabajo de estandarización de LPDDR6-PIM. La competencia en memoria de IA centrada en HBM se está expandiendo hacia áreas del lado del dispositivo como teléfonos inteligentes y PC, y la memoria está evolucionando de ser un dispositivo de almacenamiento de datos a participar directamente en el cálculo.
| Ítem | Especificaciones |
|---|---|
| Nombre del producto | LPDDR5X-PIM |
| Tipo de tecnología | Cálculo dentro de la memoria LPDDR (PIM) |
| Tiempo de procesamiento de Llama 3.1 | 5.4 segundos |
| Tiempo de procesamiento de LPDDR5X normal | 12.3 segundos |
| Aumento de velocidad | Aproximadamente 2.3 veces |
| Rendimiento de LPDDR5X-PIM | 81.3 TPS |
| Rendimiento de LPDDR5X normal | 27 TPS |
| Modelo de prueba | Meta Llama 3.1 (8 mil millones de parámetros) |
| Próxima etapa | Estandarización de LPDDR6-PIM |
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