Samsung y SK Hynix están avanzando activamente en la inversión en equipos y la actualización de la línea de producción de su base de producción de memoria flash NAND en China, con la expectativa de completar los despliegues relevantes antes de finales del próximo año, para hacer frente a la creciente demanda de chips de almacenamiento de última generación en el mercado de servidores de inteligencia artificial (IA).
Inversión en la transformación V9 NAND de la línea de producción X2 de Samsung en Xi’an
Según informes de medios surcoreanos, Samsung Electronics ha iniciado desde la primera mitad de este año una inversión en la transformación de la memoria flash NAND de tipo V9 en la línea de producción X2 en Xi’an, China. Este chip utiliza una estructura de celdas apiladas de 280 capas, que pertenece a los productos de almacenamiento de última generación en la industria, y se espera que la capacidad de producción mensual alcance de 40,000 a 50,000 obleas. Recientemente, Samsung ha confirmado oficialmente un plan de inversión adicional, centrado en la compra de equipos de grabado esenciales para la fabricación de memoria flash NAND de ultra alta capa, y se espera que los pedidos de compra de los equipos relevantes se finalicen antes de finales de este año.
El proceso de grabado es un procedimiento de fabricación que elimina materiales específicos de una oblea grabada con circuitos semiconductores, y requiere perforar con precisión agujeros de canal de transporte de carga extremadamente profundos en la estructura de la oblea. Fuentes de la industria han revelado que Samsung planea avanzar en la expansión de la capacidad de memoria flash de alta gama en China en fases durante este y el próximo año, comenzando una inversión adicional específica en la segunda mitad del próximo año para garantizar la producción estable de V9 NAND.
Instalación de equipos de actualización en la fábrica de Dalian de SK Hynix
SK Hynix también ha comenzado desde el tercer trimestre de este año a avanzar en la inversión en equipos necesarios para la actualización de productos de memoria flash NAND en su segunda fábrica en Dalian. Los informes indican que los equipos de fabricación clave, incluidos los grabadores, comenzarán a ser instalados el próximo mes, y SK Hynix planea continuar con la depuración y construcción de equipos en la fábrica de Dalian, con el objetivo de alcanzar una capacidad de producción mensual de 30,000 obleas en la primera mitad del próximo año.
| Ítem | Especificación |
|---|---|
| Tipo de chip | Samsung V9 NAND Flash |
| Número de capas apiladas | 280 capas |
| Capacidad de producción mensual de la línea X2 de Samsung en Xi’an | 40,000 a 50,000 obleas |
| Capacidad de producción mensual objetivo de la segunda fábrica de SK Hynix en Dalian | 30,000 obleas |
| Equipo de proceso clave | Grabador (Etcher) |
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